PRODUCT CLASSIFICATION
產(chǎn)品分類將 Be~U 中的所有元素(包括 B、C、N 和 O)包含在一個單元中,這些元素是重要的半導體材料
WDX 具有高信噪比和高分辨率,使用可實現(xiàn)比能量色散 X 射線熒光 (EDX) 儀器更準確的分析。 高功率 X 射線管和專用于超輕元素的光譜晶體可實現(xiàn)超輕元素測量,例如 B、C、N 和 O,這是 EDX 無法實現(xiàn)的。 此外,由于 Si 的影響,難以用 EDX 分析的 Al 超薄膜可以通過高分辨率的 WDX 清晰分離。
產(chǎn)品名稱 | 阿茲 400 | |
---|---|---|
技術(shù) | 掃描波長色散 X 射線熒光光譜法 (WDXRF) | |
用 | 分析所有樣品的薄膜厚度和成分,例如 φ50 mm 至 φ300 mm 的晶圓、芯片、切割的晶圓等。 | |
科技 | 將 Be~U 中的所有元素(包括 B、C、N 和 O)包含在一個單元中,這些元素是重要的半導體材料 | |
主要組件 | 4 kW 封裝 X 射線管、掃描測角儀、初級 X 射線濾光片、φ 30、20、10、1、0.5 mm 視場限制裝置 | |
選擇 | 晶圓加載器、SQX 軟件、CCD 相機 | |
控制 (OC) | 外部 PC、MS Windows®作系統(tǒng)、同步涂層厚度成分分析標準軟件 | |
本體尺寸 | 1376 (W) x 1710 (H) x 890 (D) 毫米 | |
重量 | 約 800 kg(主機) | |
權(quán)力 | 三相 200 VAC 50/60 Hz,50A |
我們已經(jīng)實現(xiàn)了對 B 的高靈敏度分析,B 用于通用存儲器和磁頭等磁性材料。 如果使用 FP 方法,也可以同時分析薄膜厚度和成分。
在 MRAM 中的重要材料 MgO 薄膜中,可以高精度地區(qū)分 0.1 nm 的薄膜厚度差異。 未來,預計薄膜將變薄至約 0.5 nm,但 AZX 400 可用于充分分析。
AZX 400 能夠使用 FP 方法對多達 10 層層壓薄膜進行全層分析。 在 STT-MRAM 的情況下,除了 MgO 和 CoFeB 的重要膜外,還可以在單個配方中分析 Ta、Ru、PtMn 等。
對于標準品制備困難的應用,使用 SQX 軟件(可選)進行半定量分析非常有用。 由于還考慮了晶圓分析的干涉衍射線的影響,并且可以選擇多個光譜,因此可分析的薄膜厚度比以前寬了一個數(shù)量級。
使用大型樣品室可容納*大 φ400 mm × 50 (H) mm(*大重量 30 kg)的樣品尺寸。 適配器適用于各種樣品形狀。 從 300mm 晶圓的大型濺射靶材到切割晶圓,我們都可以用一個單元靈活地處理它們。
從 300 mm FOUP 到 100 mm 開口包埋盒(可選)。 可以進行全自動分析,例如在夜間進行分析,從而提高分析工作的效率。
CCD 相機(可選)可以測量對準異物和圖案的點。 可以在查看圖像時設置*小直徑為 φ0.5 mm 的任何測量點。 面內(nèi)分布測量可在一次測量中執(zhí)行多達 999 個點。 結(jié)合高精度樣品臺,可實現(xiàn) 0.1 mm 步長的分析。
基于其他型號采用并已在數(shù)百臺設備上使用的軟件,它實現(xiàn)了多種用戶友好的功能。
它是 SEMI 認證的儀器,為**半導體制造應用設定了標準。
?濺射靶材成分
和絕緣膜:SiO2、BPSG、PSG、AsSG、Si?N?、SiOF、SiON等
高介電常數(shù)和鐵電薄膜:PZT、BST、SBT、Ta?O?、HfSiOx
?金屬薄膜:Al-Cu-Si、W、TiW、Co、TiN、TaN、Ta-Al、Ir、Pt、Ru、Au、Ni 等。
?電極薄膜:摻雜多晶硅(摻雜劑:B、N、O、P、As)、非晶硅、WSix、Pt 等。
其他摻雜薄膜(As、P)、捕獲惰性氣體(Ne、Ar、Kr 等)、C (DLC)、
鐵電薄膜、FRAM、MRAM、GMR、TMR。 PCM、GST、GeTe
、焊點的組成:SnAg、SnAgCuNi
、MEMS:ZnO、AlN、PZT、SAW 器件的厚度和組成
工藝:AlN、ZnO、ZnS、SiO ?(壓電薄膜)的厚度和組成 Al、AlCu、AlSc、AlTi(電極膜)
郵箱:zcl@kitazaki.cn
傳真:86-010-67868591
地址:朝陽區(qū)住邦2000商務樓A座1號樓406B