PRODUCT CLASSIFICATION
產(chǎn)品分類分析痕量從輕元素 Na 到重元素 U 的污染物元素
過(guò)渡金屬 LLD 10 采用直接 TXRF 測(cè)量方法8 原子/厘米2達(dá)到水平。 在封閉 X 射線管測(cè)量時(shí)間的 1/3 內(nèi)即可實(shí)現(xiàn)相同的精度,從而實(shí)現(xiàn)高通量。
詢價(jià)詢問(wèn)有關(guān)產(chǎn)品的問(wèn)題這是一種方法,它使用三種類型的光譜晶體來(lái)提取被測(cè)元素的最佳單色 X 射線束,并將其用于污染元素激發(fā)。 用于輕元素測(cè)量的 W-Mα 射線不會(huì)激發(fā) Si,因此可以分析 Na、Mg 和 Al。 從 Na~U 連續(xù)進(jìn)行高精度自動(dòng)分析。
它使用抑制高階反射的光學(xué)系統(tǒng)和 X-Y-theta 驅(qū)動(dòng)平臺(tái),自動(dòng) X 射線入射方向選擇功能消除了基板上的衍射線,并以最小的散射射線干擾實(shí)現(xiàn)高 S/N 測(cè)量。 可以對(duì)整個(gè)晶圓表面進(jìn)行準(zhǔn)確和高精度的痕量分析。
異物檢查裝置的坐標(biāo)數(shù)據(jù)可以導(dǎo)入 TXRF 系統(tǒng),并且可以對(duì)顆粒存在點(diǎn)進(jìn)行污染元素分析。 滴灌跟蹤搜索功能使用的算法,需要快速準(zhǔn)確的坐標(biāo)。
Sweeping-TXRF 方法可用于使用直接 TXRF 方法高速測(cè)量晶圓表面的內(nèi)部,并闡明污染元素的分布狀態(tài)。 整個(gè)晶圓表面的污染分析是在短時(shí)間內(nèi)完成的,而代表性坐標(biāo)測(cè)量(如平面中的 5 或 9 個(gè)點(diǎn))無(wú)法捕獲。 300mm 晶圓整個(gè)表面的 5×1010 原子/厘米2 污染物檢測(cè)可在短短 50 分鐘內(nèi)完成。 除了污染物元素的分布外,還可以通過(guò)整合整個(gè)表面的測(cè)量值來(lái)計(jì)算晶圓表面的平均污染物濃度。
我們已經(jīng)在晶圓邊緣附近實(shí)現(xiàn)了高靈敏度測(cè)量,這是迄今為止TXRF方法無(wú)法測(cè)量的。 現(xiàn)在可以使用 TXRF 在污染集中的邊緣進(jìn)行污染分析。
EFEM 中安裝了晶圓翻轉(zhuǎn)機(jī)器人,實(shí)現(xiàn)無(wú)人化和全自動(dòng)的 300mm 晶圓背面污染測(cè)量。 當(dāng)與 ZEE-TXRF 功能結(jié)合使用時(shí),可以對(duì)晶圓的每個(gè)部分進(jìn)行全面的污染分析和評(píng)估。
配備 Fab 的標(biāo)準(zhǔn) FOUP/SMIF 接口,兼容 300mm/200mm 晶圓。 此外,它還支持各種 AMHS,并通過(guò)支持主機(jī)和 SECS/GEM 協(xié)議來(lái)支持 CIM/FA。
產(chǎn)品名稱 | TXRF 310 晶圓廠 | |
---|---|---|
技術(shù) | 全內(nèi)反射 X 射線熒光 (TXRF) | |
用 | 痕量元素表面污染的測(cè)定 | |
科技 | 三光束激發(fā)和自動(dòng)光學(xué)對(duì)準(zhǔn) | |
主要組件 | 旋轉(zhuǎn)與陰極 X 射線源,XYθ 樣品臺(tái) | |
選擇 | 用于全面工廠自動(dòng)化的 GEM-300 自動(dòng)化軟件 | |
控制 (PC) | 內(nèi)部 PC、MS Windows®作系統(tǒng) | |
本體尺寸 | 1200 (寬) x 2050(高) x 2546 (深) 毫米 | |
質(zhì)量 | 1380 kg(主機(jī)) | |
權(quán)力 | 三相 200 VAC 50/60 Hz,30 A |
郵箱:zcl@kitazaki.cn
傳真:86-010-67868591
地址:朝陽(yáng)區(qū)住邦2000商務(wù)樓A座1號(hào)樓406B